Từ hiệu ứng từ điện trở khổng lồ – spintronics – đến giải Nobel Vật lý 2007

Từ hiệu ứng từ điện trở khổng lồ – spintronics – đến giải Nobel Vật lý 2007 

Hội đồng bình xét giải Nobel Vật lý năm 2007 của Viện Hàn lâm Khoa học Hoàng gia Thụy Điển vừa quyết định trao giải Nobel Vật lý năm nay cho hai nhà vật lý là Albert Fert (quốc tịch Pháp, Đại học Paris-Sud, Orsay, Pháp) và Peter Grünberg (quốc tịch Đức, Trung tâm Nghiên cứu Juelich, Đức) cho những phát kiến của họ về hiệu ứng từ điện trở khổng lồ, góp phần tạo ra một lĩnh vực mới là spintronics (điện tử học spin), ngành nghiên cứu nhằm tạo ra một thế hệ linh kiện điện tử mới, sử dụng đồng thời hai thuộc tính của điện tử là điện tích và spin.

 

1. Spin của điện tử

Điện tử có hai đặc tính rất quan trọng là điện tích và spin. Điện tích của điện tử được gọi là điện tích nguyên tố và có giá trị đặc trưng là e = 1,6.10-19 C (mang dấu âm), và đã được con người khai thác từ rất lâu mà đặc trưng đơn giản đó là dòng điện. Các linh kiện điện tử truyền thống sử dụng điện trường để điều khiển điện tích của điện tử trong các linh kiện.

Spin là một đặc trưng của điện tử, được hiểu một cách đơn giản là tạo ra từ việc điện tử (mang điện tích) chuyển động quay quanh trục của nó giống như Trái Đất và các hành tinh… tạo nên mômen động lượng spin và mômen từ spin. Spin của điện tử có độ lớn là ±1/2, và có thể định hướng theo 2 chiều là chiều lên (spin up) và chiều xuống (spin down).

Mômen từ spin của điện tử có giá trị:

\mu_S = -g. \mu_B . S  

μB = 9.274 009 49(80) × 10-24 J·Tesla-1 là Magneton Bohr, đơn vị của mômen từ, g = 2,0023 cho điện tử tự do goi là thừa số Landé.

Thực tế mô tả spin như chuyển động quay chỉ là cách mô tả đơn giản mang tính chất hình ảnh nhưng không hoàn toàn chính xác, spin thực tế là đặc trưng của các hạt cơ bản. Các hạt cơ bản có spin bán nguyên gọi là các fermion, chúng tuân theo phân bố Fermi-Dirac, còn các hạt cơ bản có spin nguyên gọi là các boson, chúng tuân theo phân bố Bose-Einstein.

Năm 1925, hai nhà vật lý người Hà Lan là George Uhlenbeck và Samuel Goudsmit đã nhận thấy rằng một khối lượng lớn các số liệu khó hiểu liên quan đến những tính chất của ánh sáng phát xạ và hấp thụ bởi các nguyên tử có thể giải thích được nếu như giả thiết rằng electron có những tính chất từ rất đặc biệt. Trước đó, nhà vật lý người Pháp, Andre Marie Ampere đã chứng tỏ được rằng các điện tích chuyển động sinh ra từ trường, George Uhlenbeck và Samuel Goudsmit đi theo hướng đó và đã phát hiện ra chỉ có một loại chuyển động đặc biệt của electron mới tạo ra được những tính chất từ phù hợp với các số liệu đo được: đó là chuyển động tự quay, hay còn gọi là spin. Hai ông đã viết một bài bào ngắn, với kết luận “các electron vừa quay vừa tự quay”. Theo bài báo ngắn trên, mỗi electron trong vũ trụ luôn luôn và mãi mãi quay với một tốc độ cố định và không bao giờ thay đổi. Spin của electron không phải là một trạng thái chuyển động nhất thời như đối với những vật quen thuộc mà vì một nguyên nhân nào đó khiến cho chúng tự quay. Spin của electron là một tính chất nội tại, cố hữu giống như khối lượng và điện tích của nó. Nếu một electron không có spin thì nó không còn là một electron nữa. Ý tưởng về spin ban đầu chỉ tập trung vào electron, nhưng sau đó các nhà vật lý đã mở rộng ý tưởng này với tất cả các hạt vật chất được liệt kê trong bảng các họ hạt cơ bản, cùng với hạt graviton, là hạt ảo hay hạt truyền tương tác trong tương tác hấp dẫn.

2. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ và spintronics

Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ là sự thay đổi lớn của điện trở suất dưới tác dụng của từ trường ngoài. Tên gọi gốc của hiệu ứng này trong tiếng Anh là Giant Magnetoresistance (thường viết tắt là GMR), nhưng ở Việt Nam, tên gọi của nó còn chưa thống nhất khi dịch thuật ngữ “giant” do ngoài hiệu ứng GMR, người ta còn phát hiện ra một hiệu ứng từ điện trở khác gọi là Colossal Magnetoresistance (CMR) mà ý nghĩa theo tiếng Anh thì “Colossal” còn chỉ sự lớn hơn so với “Giant”. Một số nhà từ học ở Việt Nam gọi GMR là “Hiệu ứng từ điện trở lớn” (khi đó sẽ gọi CMR là hiệu ứng từ điện trở khổng lồ), nhưng cũng có một số nhóm nghiên cứu khác lại gọi GMR là “Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ” và khi đó CMR được gọi là “Hiệu ứng từ điện trở siêu khổng lồ. Thực chất đây chỉ là vấn đề mang tính chất ngôn ngữ, không gây hiểu nhầm về bản chất vật lý“.

Hiệu ứng từ điện trở (còn được gọi tắt là từ trở) thực chất đã được phát hiện từ năm 1856 bởi Wiliam Thomson (Kelvin) trên các mẫu hợp kim NiFe với sự thay đổi điện trở suất không quá 5%. Đó là hiệu ứng từ điện trở dị hướng. Khi nói về hiệu ứng từ điện trở, người ta thường sử dụng khái niệm tỉ số từ trở để nói lên sự thay đổi về điện trở dưới tác dụng của từ trường:

MR = \frac{\rho(H)-\rho(0)}{\rho(0)} = \frac{R(H)-R(0)}{R(0)}

  

Với R(0), r(0) là điện trở, điện trở suất của vật liệu khi không có từ trường, còn R(H), r(H) là điện trở, điện trở suất của vật liệu trong từ trường H.

Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (sau đây sẽ gọi tắt là GMR) xét trên phương diện giá trị thì là sự thay đổi lớn của điện trở suất, lần đầu tiên được phát hiện vào năm 1988 bởi hai nhóm nghiên cứu độc lập được lãnh đạo bởi Albert Fert (Đại học Paris Sud, Orsay) và Peter Grünberg (Trung tâm Nghiên cứu Juelich, Đức). Cả hai nhóm đều phát hiện ra sự thay đổi rất lớn của tỉ số MR trong các màng mỏng đa lớp.

.”]Photobucket

 

Nhóm của Fert phát hiện ra hiệu ứng GMR trong các màng mỏng đa lớp Fe(001)/Cr(001) cho tỉ số MR tới vài chục % ở nhiệt độ phòng (thậm chí tới hàng trăm % khi đo ở nhiệt độ thấp). Kết quả này ngay lập tức được công bố trên tạp chí danh tiếng Physical Review Letter [1]. Còn nhóm nghiên cứu được lãnh đạo bởi Grünberg thì thu được hiệu ứng GMR trong các màng ba lớp đơn tinh thể Fe (12 nm)/Cr (1nm)/Fe (12 nm). Màng được chế tạo bằng kỹ thuật epitaxy chùm phân tử trên đế đơn tinh thể GaAs. Nhóm của Grünberg cũng ngay lập tức công bố kết quả này trên tạp chí Physical Review B [2]. Công trình của nhóm Fert xuất hiện chính thức trên tạp chí trước so với bài của nhóm Grünberg, nhưng trên thực tế bản thảo bài báo của nhóm Grünberg lại được nộp cho nhà xuất bản trước so với bản thảo bài của nhóm Fert, đồng thời nhóm của Grünberg cũng nhanh tróng nhận ra triển vọng công nghệ của GMR và nhanh tróng đăng ký patent phát minh sáng chế về công nghệ này. Vì thế, trên bình diện khoa học, cả Fert và Grünberg đều được coi là những người đầu tiên phát hiện ra GMR, nhưng Grünberg lại là người giữ bản quyền sáng chế xét theo phương diện kỹ thuật.

Photobucket
Mô hình 2 dòng để lý giải hiệu ứng GMR: khi điện tử có spin cùng chiều với từ độ, tán xạ thấp do đó có điện trở thấp, còn khi spin ngược hướng với từ độ, tán xạ mạnh và điện trở lớn. Từ trường làm thay đổi hướng của từ độ, do đó làm thay đổi điện trở của màng.

 

Các nghiên cứu tiếp theo còn chỉ ra rằng, hiệu ứng GMR không chỉ xuất hiện trong các màng đa lớp, mà còn xuất hiện trong các màng đơn lớp, các băng hợp kim dị thể ví dụ như CoCu, CoAg… [3] và hàng loạt các nghiên cứu đã phát hiện ra hiệu ứng GMR trong nhiều loại vật liệu đồng thời tìm cách lý giải về hiệu ứng này. Và hiệu ứng GMR đã nhanh tróng được ứng dụng trong đầu đọc của ổ cứng máy tính, thay cho đầu đọc cũ sử dụng hiệu ứng từ điện trở dị hướng (Anisotropic Magnetoresistance – AMR). Ta biết rằng, đĩa ghi từ của ổ cứng là các vật liệu từ cứng, mỗi bit thông tin được lưu trữ trên một vùng rất nhỏ, có thể coi như một “nam châm tí hon” và đầu đọc là bộ phận cảm ứng để đọc thông tin trên mỗi “nam châm tí hon” đó thông qua việc ghi lại từ tính của nam châm này. Đầu đọc là một cảm biến sử dụng màng mỏng GMR, có điện trở thay đổi dưới tác dụng của từ trường của “nam châm tí hon” đó. Đầu đọc GMR không những nhạy hơn, có tốc độ đọc nhanh hơn, đồng thời còn giúp cho việc tăng mật độ lưu trữ thông tin của ổ cứng. Bởi muốn tăng dung lượng ổ cứng, các bit ghi từ phải càng nhỏ, có nghĩa là tín hiệu về từ trường của nó càng yếu hơn, và đầu đọc GMR nhạy hơn sẽ giúp cho việc đọc các tín hiệu yếu đó một cách dễ dàng.

Chỉ 4 năm sau phát hiện về GMR, người ta đã ngay lập tức ứng dụng GMR trong đầu đọc ổ cứng máy tính. Tuy nhiên, đầu đọc GMR trong ổ cứng máy tính cũng hơi khác so với nguyên bản về màng GMR của các tác giả ban đầu. Đó là màng mỏng valse-spin, là hệ màng mỏng đa lớp, với một lớp phản sắt từ liên kết với hệ màng đa lớp sắt từ/phi từ/sắt từ. Vai trò của lớp phản sắt từ là ghim từ độ của một lớp sắt từ theo một chiều, và lớp còn lại sẽ có véc tơ từ độ được quay tự do theo từ trường ngoài.

Vậy bản chất của GMR là gì? Bản chất của GMR khác hẳn các hiệu ứng từ điện trở đã được nghiên cứu trước đó bởi nó là một hiệu ứng lượng tử. Cơ chế của nó được lý giải qua một câu rất đơn giản là “tán xạ phụ thuộc spin của điện tử”. Ta có thể hiểu đơn giản như sau: điện trở của vật rắn phụ thuộc vào tán xạ của điện tử dẫn trong vật rắn, gồm có: 1) tán xạ trên nút mạng tinh hể do dao động mạng tinh thể, người ta gọi là tán xạ trên phonon; 2) tán xạ trên các sai hỏng về cấu trúc (gọi là tán xạ trên defect); 3) tán xạ trên các phần tử mang từ tính, gọi là tán xạ trên magnon. Hiệu ứng GMR do đóng góp thứ ba đem lại. Khi có các phần tử mang từ tính (ví dụ các lớp sắt từ trong các màng đa lớp hay các hạt siêu thuận từ trong các màng hợp kim dị thể) có sự định hướng khác nhau về mômen từ (do tác động của từ trường ngoài), sẽ dẫn đến sự thay đổi về tính chất tán xạ của điện tử và do đó sẽ làm thay đổi điện trở của chất rắn. Một cách chính xác hơn, hiệu ứng GMR trong các màng đa lớp được giải thích bằng mô hình hai dòng điện của Mott (đề ra từ năm 1936) [4]. Mô hình hai dòng điện được mô tả một cách đơn giản như sau: ở nhiệt độ đủ thấp sao cho tán xạ trên magnon đủ nhỏ thì các dòng chuyển dời điện tử chiếm đa số (có spin song song với từ độ) và thiểu số (có spin đối song song với từ độ) sẽ không bị pha trộn trong quá trình tán xạ. Sự dẫn điện có thể coi là tổng hợp của hai dòng độc lập và không cân bằng của hai loại spin có chiều khác nhau [6]. Các lớp phản sắt từ (ví dụ Cr) hay phi từ (ví dụ Cu) đóng vai trò ngăn cách giữa các lớp sắt từ, khiến cho mômen từ của các lớp sắt từ phải có sự định hướng khác nhau sao cho có sự cân bằng về từ độ. Sự tác động của từ trường ngoài dẫn đến việc thay đổi sự định hướng của mômen từ ở mỗi lớp, dẫn đến sự thay đổi về dòng dẫn của các spin phân cực, và dẫn đến sự thay đổi về điện trở suất.

Và tên gọi “Giant” trong hiệu ứng GMR đã được hiểu một cách hoàn toàn khác so với nguyên bản của nó. Có nghĩa là nó bắt nguồn từ cơ chế tạo GMR chứ không do độ lớn của tỉ số MR quy định. Trong nhiều màng mỏng, giá trị MR của nó có thể khá thấp, nhưng cơ chế tạo ra hiệu ứng MR đó là cơ chế của GMR thì người ta vẫn gọi hiệu ứng đó là GMR.

 

Sự ra đời của spintronics?

Và hiệu ứng GMR đã dẫn đến việc hình thành một ngành khoa học mới, gọi là spintronics (tên gọi ngành này theo tiếng Việt con chưa thống nhất, có thể là Điện tử học spin, đôi khi còn gọi là Spin tử, hay Spin điện tử học…). Ý tưởng về spintronics dựa trên hiệu ứng GMR, có nghĩa là ta thấy rằng chỉ cần những thay đổi nhỏ của từ trường ngoài có thể tạo ra sự thay đổi một cách nhanh tróng về tính chất điện của vật rắn. Nguyên nhân sự thay đổi này bắt nguồn từ spin của điện tử và hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (và sau này thêm hiệu ứng từ điện trở chui hầm [5]) trở thành những khung xương nền tảng cho spintronics.

Spintronics thực tế là một ngành đa lĩnh vực, mà nền tảng là từ học. Người ta đã định nghĩa spintronics [4]: “spintronics là một ngành đa lĩnh vực mà mục tiêu chính là thao tác và điều khiển các bậc tự do của spin trong các hệ chất rắn.” Nói một cách đơn giản, spintronics là một ngành nghiên cứu mới nhằm tạo ra các linh kiện mới dựa trên việc điều khiển và thao tác spin của điện tử. Và có thể nói rằng, sự ra đời của spintronics có đóng góp lớn từ việc tìm ra hiệu ứng GMR. Mục tiêu quan trọng của spintronics là hiểu về cơ chế tương tác giữa spin của các hạt và môi trường chất rắn, từ đó có thể điều khiển cả về mật độ cũng như sự chuyển vận (transportation) của dòng spin trong vật liệu. Một cách tương đối, có thể chia các linh kiện spintronics thành 3 thế hệ:

Thế hệ thứ nhất: Gồm các linh kiện dựa trên các hiệu ứng GMR, TMR (Tunneling Magnetoresistance), trong các màng mỏng từ tiếp xúc dị thể kim loại-kim loại hoặc kim loại-điện môi, ví dụ như các cảm biến, đầu đọc từ trở trong các đĩa cứng, các bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM), các transitor kim loại (hay transitor lưỡng cực), transitor valse spin, công tắc/khoá đóng mở spin, …

Thế hệ thứ hai: Bao gồm các linh kiện hoạt động dựa trên việc tiêm hoặc bơm dòng phân cực spin qua tiếp xúc dị thể bán dẫn-sắt từ hay bán dẫn từ-bán dẫn (điều này giúp cho việc tận dụng được các kỹ thuật vi điện tử hiện nay). Đó là các mạch khoá siêu nhanh, các bộ vi xử lý spin và mạch logic lập trình được, các bộ nhớ sử dụng đômen từ [6]… Các linh kiện này sử dụng các vật liệu bán dẫn pha loãng từ, bán dẫn sắt từ hay các bán kim, các linh kiện vận chuyển đạn đạo (ballistic electron transport) sử dụng hiệu ứng từ điện trở xung kích, và các loại transistor spin như ở thế hệ thứ nhất. Một trong những hướng nghiên cứu đang rất được chú ý và có khả năng thành hiện thực là sử dụng sự điều khiển các vách đômen (từ tính) để tạo thành các bit thông tin. Bạn có thể tưởng tượng, thông tin được mã hóa 0 và 1 thông qua sự định hướng của các mômen từ trong các đômen. Sự điều khiển các vách đômen chính là điều khiển các bit thông tin. Vách đômen có thể điều khiển dễ dàng bằng từ trường hoặc dòng điện. Và hiện nay, hướng spintronics này mục tiêu là tạo ra, và điều khiển các quá trình dịch chuyển, hãm, hủy… các vách đômen trong các phần tử nhỏ (ví dụ các nanowire, các nanodot, các bẫy đômen…). Và thành tựu đang trở thành hiện thực nhất của nó là tạo ra các cổng logic, các bộ nhớ từ mật độ cao… bằng cách điều khiển vách đômen (đề tài của tôi đang theo hướng này), và là một trong những hướng hiện thực nhất trong spintronics hiện nay [6]. Ưu điểm của nó là có thể tạo ra các cổng logic mộ
t cách rất đơn giản, đồng thời việc điều khiển cũng được thực hiện rất dễ dàng với tốc độ cao và tốn ít năng lượng. Hi vọng sau bài viết này (nếu có ai đó hiểu), tôi có thể giới thiệu thêm về spintronics dùng các vách đômen.

Thế hệ thứ ba: Là các linh kiện sử dụng các cấu trúc nano (dạng chấm lượng tử, dây và sợi nano) và sử dụng các trạng thái spin điện tử đơn lẻ như cổng logic lượng tử (là cơ sở cho máy tính lượng tử), các transistor đơn spin (SSET), …

Cảm biến van spin thuộc thế hệ linh kiện đầu tiên đã được chế tạo và đưa vào sử dụng ở mức độ thương phẩm từ cuối thế kỷ 20. Một số linh kiện điển hình của thế hệ này là kính hiển vi từ điện trở, đầu đọc ghi ổ cứng tốc độ cao, phím bấm không tiếp xúc, động cơ không chổi than, giải mã vạch, đếm tốc độ, máy trợ thính, … Các bộ nhớ MRAM không tự xóa đang bắt đầu có sản phẩm thương phẩm, và được dự đoán là sẽ chiếm lĩnh thị trường thương mại và tiêu dùng trong những năm gần đây.

Có thể nói rằng, spintronics sẽ là tương lai của công nghệ điện tử hiện nay, dựa trên nền tảng của từ học, kết hợp với nhiều thành tựu của các ngành khác: quang, điện tử học…, với những ưu điểm nổi trội hơn hẳn công nghệ điện tử hiện nay:

Tiêu thụ ít năng lượng hơn: Việc chuyển trạng thái 0 và 1 trong các linh kiện điện tử truyền thống được thực hiện bằng cách vận chuyển điện tích vào/ra khỏi các kênh củatransistor. Điều đó đòi hỏi phải tiêu tốn năng lượng vì việc vận chuyển điện tích đòi hỏi phải tạo ra được độ dốc của trường thế (hay điện trường), do đó bị tổn hao thành nhiệt và không thể bù đắp được, trong khi các linh kiện spintronics đảo trạng thái dựa trên việc đổi định hướng spin.

Không gây ồn/nhiễu như điện tích: spin không liên kết dễ dàng với điện trường phát tán (trừ khi tương tác spin-quỹ đạo rất mạnh ở trong các vật liệu) nên tránh được nhiễu và ồn của điện tích.

Thao tác nhanh hơn vì không phải mất thời gian cho việc vận chuyển điện tích, chỉ mất thời gian đảo phương spin. Tóm lại, đối với spin chỉ cần đảo chiều theo 2 chiều “lên” và “xuống” nên đòi hỏi tiêu tốn ít năng lượng và mất ít thời gian hơn nhiều.

Người ta dự đoán rằng công nghệ spintronics sẽ góp phần quan trọng vào sự phát triển của công nghệ điện tử – tin học – viễn thông trong thế kỷ 21. Các đặc trưng của các thiết bị điện tử thế hệ mới này có tính tổ hợp cao (cả điện tử hoc, từ học và quang tử), đa chức năng, thông minh, nhỏ gọn, tiêu thụ ít năng lượng nhưng hiệu suất cao, xử lý và khả làm tươi (refresh) thông tin với tốc độ rất cao…

3. Và giải Nobel Vật lý 2007

Hội đồng bình xét giải Nobel Vật lý 2007 gồm các nhà vật lý đến từ nhiều lĩnh vực khác nhau, gồm Per Carlson (Giáo sư về Vật lý hạt, Chủ tịch hội đồng), Lars Bergström (Giáo sư vật lý lý thuyết, Thư ký) cùng các ủy viên Börje Johansson (Giáo sư Vật lý chất rắn), Björn Jonson (Giáo sư Vật lý cơ bản), Ingemar Lundström (Giáo sư vật lý ứng dụng), Joseph Nordgren (Giáo sư ngành Vật lý tia X mềm) đã nhất trí thông qua việc trao giải Nobel cho Albert Fert và Peter Grünberg với những đóng góp lớn của họ cho vật lý, mà cụ thể là phát hiện ra hiệu ứng GMR, góp phần vào việc mở ra ngành spintronics cho tương lai. Việc hai nhà vật lý này nhận được giải thưởng Nobel có lẽ cũng không làm các nhà vật lý bất ngờ, bởi trước khi nhận được giải Nobel, họ đã nhận được khá nhiều giải thưởng uy tín cho phát minh này: Giải thưởng Quốc tế APS cho các phát minh vật liệu mới (1994); Giải Hewlett-Packard Europhysics (1997); Giải Medaille d’or du CNRS (2003), Giải thưởng Wolf (2007)… Lễ trao giải Nobel Vật lý đã được tiến hành vào ngày 10/12/2007 tại Stockholm (Thụy Điển). Những người đoạt giải sẽ nhận được Huân chương Nobel và tiền thưởng từ Nhà vua Thụy Điển King Carl XVI Gustaf.

Photobucket
Ảnh chụp Albert Fert (trái)và Peter Grünberg (phải).

 

Bài viết có sử dụng tư liệu từ một số bài viết của tác giả trên Từ điển Bách khoa Toàn thư mở wikipedia. Các hình vẽ trên đây không có tính chất bản quyền, mà chỉ mang tính chất tham khảo

 

Tài liệu tham khảo

[1] [1] M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Eitenne, g. Creuzet, A. Friederich, and J. Chazelas, Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices, Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 2472-2475.

[2]] G. Binasch, P. Grünberg, F. S
aurenbach, W. Zinn, Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange, Phys. Rev. B 39 (1989) 4828-4830.

[3] [3] A.E. Berkowitz, J. R. Mitchell, M. J. Carey, A. P. Young, S. Zhang, F. E. Spada, F. T. Parker, A. Hutten, G. Thomas, Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys, Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 3745-3747.

[4] [4]. Zutic, J. Fabrian, S.D. Sarma, Spintronics: Fundamentals and applications, Rev. Mod. Phys. 76 (2004) 323-410.

[5] [5]. S. Moodera et. al. Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions, Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 3273–3276.

[6] [6]. C.H. Marrow, Spin-polarised currents and magnetic domain walls, Adv. Phys. 54 (2005) 585-713.

3 Comments

  1. he he.”xng đất” cho ci blog của anh n. anh ơi! mới đầu năm mới đ khai bt bằng bi khoa học như thế th chắc chắn anh sẽ thnh cng trong cng việc trong năm nay rồi! tuy chăm lo nghin cứu khoa học nhưng anh vẫn phải giữ sk nh!

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s